در این چند روز سه رویداد مهم در دنیای حافظه‌های فلش رخ داده، حافظه‌ی ۱۲۸ گیگابایتی eMMC سامسونگ، حافظه‌های ۳D NAND مایکرون، اینتل، توشیبا و سندیسک معرفی شده‌اند. در ادامه با محصول اینتل و مایکرون آشنا می‌شویم.

کمپانی Micron که البته نام کاملش Micron Technologies است در کنار اینتل از نسل جدید حافظه‌های سه بعدی NAND پرده برداشته، حافظه‌هایی با تراکم بالاتر که کاربردشان در انواع کارت‌های حافظه، فلش‌درایوهای USB، حافظه‌های SSD و … است.

اینتل با مایکرون همکاری کرده تا لایه‌های متعدد حافظه‌ی NAND روی هم چیده شود و بدین ترتیب تراکم تا سه برابر افزایش پیدا می‌کند. برای انجام این مهم باید دقت ساخت بسیار بالا باشد. مزیت حافظه‌های جدید فقط تراکم بیشتر نیست، مصرف انرژی و ابعاد کلی هم کمتر می‌شود و بدین ترتیب محصولات موبایل به ویژه گوشی‌های باریک، می‌توانند حافظه‌ی داخلی بزرگ‌تری داشته باشند. نکته‌ی دیگر این است که هزینه هم افزایش پیدا نمی‌کند! تکنولوژی پیشرفته‌ای استفاده شده اما اگر هزینه‌ی هر گیگابایت ظرفیت را محاسبه کنیم، متوجه می‌شویم که هزینه در همین روزهای ابتدایی هم کمتر از حافظه‌های NAND قبلی است.

اینتل و مایکرون حافظه‌های 3D NAND با ظرفیت و سرعت بیشتر و قیمت پایین‌تر می‌سازند

اینتل و مایکرون حافظه‌های ۳D NAND با ظرفیت و سرعت بیشتر و قیمت پایین‌تر می‌سازند

حافظه‌های معمولی NAND حالت صفحه‌ای دارند و این روزها دیگر بهبود لیتوگرافی هم به افزایش ظرفیت آنها کمک نمی‌کند. صنعت حافظه‌های NAND مدتی است که به حافظه‌های ۳ بعدی که در حقیقت ترکیب لایه‌های مختلف حافظه‌های صفحه‌ای هستند، می‌اندیشد و بالاخره تولید انبوه تراشه‌های جدید، کلید خورده است. خوشبختانه این دستاورد منحصر به اینتل و مایکرون نیست! توشیبا، سندیسک و سامسونگ هم به نتایج مشابهی رسیده‌اند.

اینتل و مایکرون از ۳۲ لایه استفاده کرده‌اند تا فلش‌های MLC با ظرفیت ۲۵۶ گیگابیت و فلش‌های TLC با ظرفیت ۳۸۴ گیگابیت معادل ۴۸ گیگابایت را تولید کنند. ابعاد حافظه‌ها به قدری کوچک است که می‌توان درایوهای ۲٫۵ اینچی SSD با ظرفیت بیش از ۱۰ گیگابایت هم تولید کرد. البته راهکار مفیدتر تولید کارت‌هایی با کانکتور M.2 و ظرفیتی مثل ۳٫۵ ترابایت است!

اینتل و مایکرون در روش خود از سلول‌هایی با گیت شناور (Floating Gate) استفاده کرده‌اند که عملکرد و قابلیت اطمینان را بهبود می‌بخشد؛ در ضمن این اولین باری است که در حافظه‌های ۳ بعدی NAND در سلول‌هایی با گیت شناور استفاده می‌شود.

توان مصرفی هر لایه و در واقع هر قالب حافظه را می‌توان به صورت جداگانه قطع و وصل کرد. بدین ترتیب می‌توان از حالت Sleep برای کاهش توان مصرفی استفاده کرد.

سازندگان سخت‌افزار می‌توانند نمونه‌های فلش‌های MLC جدید را از امروز تهیه کنند، انواع TLC برای دیتاسنترها هم کمی بعد عرضه می‌شود. تولید انبوه و فروش محصولات مبتنی بر حافظه‌های ۳ بعدی اینتل و مایکرون از اواخر سال جاری شروع می‌شود.

4 votes, average: 5٫00 out of 54 votes, average: 5٫00 out of 54 votes, average: 5٫00 out of 54 votes, average: 5٫00 out of 54 votes, average: 5٫00 out of 5 (4 نظر، امتیاز: 5٫00 از 5)
برای نظر دادن ابتدا باید ثبت نام کنید.
Loading...
لينک کوتاه:

بيشتر بخوانيد:

دیدگاه بگذارید

اولین دیدگاه را بنویسید!

اطلاع از
wpDiscuz

تبلیغات

ویژه‌ها

تبلیغات

تبلیغات

×